H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/268 (2006.01) C30B 13/24 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/30 (2006.01) H01L 21/302 (2006.01)
Patent
CA 2256699
Semiconductor integrated devices such as transistors are formed in a film of semiconductor material formed on a substrate. For improved device characteristics, the semiconductor material has regular, quasi-regular or single-crystal structure. Such a structure is made by a technique involving localized irradiation of the film with one or several pulses of a beam of laser radiation, locally to melt the film through its entire thickness. The molten material then solidifies laterally from a seed area of the film. The semiconductor devices can be included as pixel controllers and drivers in liquid-crystal display devices, and in image sensors, static random-access memories (SRAM), silicon-on-insulator (SOI) devices, and three-dimensional integrated circuit devices.
Des dispositifs intrégrés à semi-conducteur, tels que des transistors, sont formés dans une couche de matériau semi-conducteur formée sur un substrat. Pour que le dispositif présente des caractéristiques améliorées, le matériau semi-conducteur a une structure régulière, quasi régulière ou monocristalline. Une telle structure est obtenue par une technique impliquant l'exposition localisée de la couche à une ou plusieurs impulsions d'un faisceau laser, ces impulsions faisant fondre localement la couche sur toute son épaisseur. La matière fondue se solidifie alors latéralement à partir d'une zone à germes de la couche. Les dispositifs à semi-conducteur peuvent être introduits en tant que dispositifs de commande de pixels et dispositifs d'attaque, dans des dispositifs d'affichage à cristaux liquides, et dans des détecteurs d'images, des mémoires RAM statiques, des dispositifs du type silicium sur isolant, et des dispositifs à circuits intégrés tridimensionnels.
Blake Cassels & Graydon Llp
The Trustees Of Columbia University In The City Of New York
LandOfFree
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