C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/03 (2006.01)
Patent
CA 2517764
A polycrystal silicon manufacturing apparatus capable of preventing molten silicon from being solidified at the lower end of a reaction tube due to the lowering of temperature at the lower end when the inner surface of the reaction tube is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of silicon and deposited silicon is fallen to a lower collection part for collection. The apparatus comprises an infrared ray radiating device heating the outer periphery of the lower end part (2a) of the reaction tube (2) by infrared ray or a temperature lowering prevention means such as a lower end side coil (4L) formed of a coil near the lower end of a high-frequency heating coil (4) and having a heating strength increased more than that of a coil (4U) located above near the lower end part. When the reaction tube (2) is heated by the high-frequency heating coil (4), the temperature of the lower end part (2a) can be prevented from being lowered by the temperature lowering prevention means.
Appareil de fabrication de silicium polycristallin capable d'empêcher la solidification du silicium fondu à l'extrémité inférieure d'un tube de réaction, en raison de la baisse de la température à cette extrémité inférieure, lorsque la surface interne du tube de réaction est chauffée à une température égale ou supérieure au point de fusion du silicium, le silicium étant alors recueilli dans une partie de collecte inférieure. Ledit appareil comporte un dispositif d'émission de rayonnement infrarouge chauffant la périphérie externe de la partie terminale inférieure (2a) du tube de réaction (2) par rayonnement infrarouge ou un dispositif empêchant la baisse de la température tel qu'un bobinage latéral (4L) formé à la partie inférieure d'un bobinage de chauffe à haute fréquence (4) et possédant une force de chauffe plus importante que celle d'un bobinage (4U) se trouvant au-dessus de la partie inférieure et adjacent à cette dernière. Lorsque le tube de réaction (2) est chauffé par le bobinage de chauffe à haute fréquence (4), le dispositif empêchant la baisse de la température peut empêcher la baisse de la température de la partie terminale inférieure (2a).
Nakashima Junichirou
Oda Hiroyuki
Macrae & Co.
Tokuyama Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1946267