H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/205 (2006.01) H01L 21/36 (2006.01) H01L 29/15 (2006.01) H01L 29/778 (2006.01) H01L 31/0304 (2006.01) H01L 29/20 (2006.01) H01L 29/36 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2479657
A Group III-V nitride microelectronic device structure including a delta doped layer (24) and/or a doped superlattice. A delta doping method is described, including the steps of: depositing semiconductor material on a substrate by a first epitaxial film growth process; terminating the deposition of semiconductor material on the substrate to present an epitaxial film surface; delta doping the semiconductor material at the epitaxial film surface, to form a delta doping layer thereon; terminating the delta doping; resuming deposition of semiconductor material to deposit semiconductor material on the delta doping layer, in a second epitaxial film growth process; and continuing the semiconductor material second epitaxial film growth process to a predetermined extent, to form a doped microelectronic device structure, wherein the delta doping layer (24) is internalized in semiconductor material deposited in the first and second epitaxial film growth processes.
Structure de dispositif micro-électronique comprenant une couche dopée delta et/ou un super-réseau dopé, ainsi que procédé de dopage delta qui consiste en ce qui suit: déposer le matériau semi-conducteur sur un substrat par un premier processus de croissance de film épitaxial, terminer le dépôt du matériau semi-conducteur sur le substrat permettant de présenter une surface de film épitaxial, effectuer le dopage delta du matériau semi-conducteur à la surface de film épitaxial à des fins de formation d'une couche de dopage, terminer le dopage delta, recommencer le dépôt du matériau semi-conducteur à des fins de dépôt du matériau semi-conducteur à la surface de film de dopage delta, dans un deuxième processus de croissance de film épitaxial, et poursuivre le deuxième processus de croissance de film épitaxial jusqu'à un stade prédéterminé pour former une structure de dispositif micro-électronique dopé, dans lequel la couche de dopage delta est intégrée au matériau semi-conducteur déposé pendant les premier et deuxième processus de croissance de film épitaxial.
Brandes George R.
Flynn Jeffrey S.
Cree Inc.
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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