H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/18 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) H01L 31/0312 (2006.01)
Patent
CA 2660082
The present invention relates to a novel, unconventional methods and systems for the fabrication of silicon or silicon-germanium photovoltaic cell applications. In some embodiments high purity gaseous and/or liquid intermediate compounds of silicon (or silicon germanium) are converted directly to polycrystalline films by a thermal plasma chemical vapor deposition process or by a thermal plasma spraying technique. The intermediate compounds of silicon (or silicon germanium) are injected into the thermal plasma source where temperatures range from 2000 K to about 20,000 K. The compounds dissociate and silicon (or silicon germanium) is deposited onto substrates. Polycrystalline films having densities approaching the bulk value are obtained on cooling. PN junction photovoltaic cells can be directly prepared by spraying, or doped films after heat treatment are subsequently transformed to viable photovoltaic cells having high efficiency, low cost at a high throughput. In some embodiments a roll-to-roll or a cluster-tool type automated, continuous system is provided.
La présente invention concerne des procédés et des systèmes novateurs pour fabriquer des applications de cellules photovoltaïques en silicium ou silicium-germanium. Dans certains modes de réalisation, des composés intermédiaires gazeux et/ou liquides de haute pureté de silicium (ou de silicium-germanium) sont convertis directement en films polycristallins par un procédé de déposition en phase vapeur par procédé chimique de plasma thermique et par technique de pulvérisation de plasma thermique. Les composés intermédiaires de silicium (ou de silicium-germanium) sont injectés dans la source de plasma thermique où les températures se situent dans la plage de 2000 K à environ 20 000 K. Les composés se dissocient et le silicium (ou silicium-germanium) est déposé sur des substrats. Des films polycristallins dont les densités sont proches de la valeur de la densité apparente sont obtenus lors du refroidissement. Des cellules photovoltaïques à jonction PN peuvent être directement préparées par pulvérisation ou encore, des films dopés après traitement thermique sont transformés en cellules photovoltaïques viables dotées d'un rendement élevé, d'un débit élevé pour un coût moindre. Dans certains modes de réalisation, un système continu et automatisé de type rouleau à rouleau ou outil du type en grappe est utilisé.
Senergen Devices Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1963886