H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/24 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) H01L 29/808 (2006.01)
Patent
CA 2336933
Silicon carbide channel semiconductor devices are provided which eliminate the insulator of the gate by utilizing a semiconductor gate layer and buried base regions to create a "pinched off" gate region when no bias is applied to the gate. In particular embodiments of the present invention, the semiconductor devices include a silicon carbide drift layer of a first conductivity type, the silicon carbide drift layer having a first face and having a channel region therein. A buried base region of a second conductivity type semiconductor material is provided in the silicon carbide drift layer so as to define the channel region. A gate layer of a second conductivity type semiconductor material is formed on the first face of the silicon carbide drift layer adjacent the channel region of the silicon carbide drift layer. A gate contact may also be formed on the gate layer. Both transistors and thyristors may be provided.
L'emploi de ces dispositifs à semi-conducteurs à canal au carbure de silicium permet de supprimer l'isolant de la grille dans la mesure où ils utilisent une couche de grille et des zones bases noyées afin de donner lieu à une zone de grille "pincée" lorsqu'aucune polarisation n'est appliquée à la grille. Dans certains modes de réalisation de cette invention, les dispositifs à semi-conducteur comportent une couche de migration au carbure de silicium d'un premier type de conductivité, cette couche possédant une première face et renfermant une zone canal. Une zone base noyée faite d'un matériau semiconducteur d'un second type de conductivité est créée dans cette couche de migration au carbure de silicium de manière à définir la zone canal. Une couche de grille d'un matériau semiconducteur d'un second type de conductivité est formée sur la première face de la couche de migration au carbure de silicium au voisinage immédiat de sa zone canal. Il est également possible de former un contact de grille sur la couche de grille. Le dispositif peut, en outre, comporter des transistors et des thyristors.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2003361