H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/115 (2006.01) H01L 27/146 (2006.01)
Patent
CA 2247565
An array of semiconductor diodes comprised of a plurality of first semiconductor regions comprising semiconductor material of a first conductivity type, and a plurality of second semiconductor regions comprising semiconductor material of a second conductivity type, the second conductivity type being the opposite polarity of the first conductivity type. The first semiconductor region comprises the active regions of the array and are separated from each other by at least one of the second semiconductor regions. In one embodiment, the first semiconductor region is further separated from the adjacent second semiconductor regions by a gap region. The opposite type semiconductor material in the second semiconductor regions reduces the detrimental effects normally created by radiation damage to the semiconductor diode.
L'invention est un réseau de diodes à semi-conducteur qui est constitué d'une pluralités de régions de semi-conducteur comportant un matériau semi-conducteur d'un premier type de conductivité, et d'une pluralité de secondes régions de semi-conducteur comportant un matériau semi-conducteur d'un second type de conductivité, le premier et le second matériau semi-conducteur étant de types opposés. Les premières régions de semi-conducteur sont les régions actives du réseau et sont séparées les unes des autres par une au moins des secondes régions de semi-conducteur. Dans l'une des concrétisation de l'invention, chaque première région de semi-conducteur est séparée de la seconde région de semi-conducteur adjacente par un espacement. Le matériau semi-conducteur de type opposé des secondes régions de semi-conducteur réduit les effets nuisibles normalement créés par les radiations dans les diodes à semi-conducteur.
Company General Electric
Craig Wilson And Company
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2004470