High frequency power transistor device

H - Electricity – 01 – L

Patent

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Details

H01L 23/66 (2006.01) H01L 23/64 (2006.01)

Patent

CA 2353473

An output-matched LDMOS RF power transistor device (100) includes a semiconductor die (108) having a plurality of interdigitated electrodes (110) formed thereon, the electrodes each having respective input terminals (112) and output terminals (114). An input lead is coupled to a first terminal (107) of an input matching capacitor (106) by a first plurality of conductors (105) (e.g. bond wires), with a second terminal of the matching capacitor coupled to a ground (145). The first terminal of the matching capacitor is also coupled to the electrode input terminals by a second plurality of conductors (116). A conductive island (120) isolated from the ground is coupled to the electrode output terminals by a third plurality of conductors (118). Output matching of the device is provided by a shunt inductance (122) formed by a fourth plurality of conductors (122), which couple a first terminal of an output blocking capacitor (124) the conductive island, with a second terminal of the blocking capacitor coupled to the ground. An output lead is coupled to the conductive island by a fifth plurality of conductors (126). In particular, the conductive island is disposed adjacent the semiconductor die, and output blocking capacitor is disposed between the conductive island and output lead, such that transmission inductance through the respective third and fourth pluralities of conductors coupling the electrode output terminals to the blocking capacitor is sufficiently small to allow for output impedance matching of the transistor device at relatively high operating frequencies.

L'invention concerne un dispositif transistor de puissance radiofréquence LDMOS à adaptation de sortie (100) comprenant une puce de semiconducteur (108) sur laquelle est formée une pluralité d'électrodes interdigitées (110), chacune de ces électrodes présentant une borne d'entrée (112) et une borne de sortie (114). Un conducteur d'entrée est couplé à une première borne (107) d'un condensateur d'adaptation d'entrée (106) par une première pluralité de conducteurs (105) (par exemple des fils de connexion), une seconde borne de ce condensateur d'adaptation étant couplée au sol (145). La première borne de ce condensateur d'adaptation est également couplée aux bornes d'entrée des électrodes par une deuxième pluralité de conducteurs (116), un îlot conducteur (120) isolé du sol étant par ailleurs couplé aux bornes de sortie desdites électrodes par une troisième pluralité de conducteurs (118). L'adaptation de sortie du dispositif de cette invention est assurée par une inductance en dérivation (122) formée par une quatrième pluralité de conducteurs (112), lesquels sont destinés à coupler une première borne d'un condensateur avec blocage de sortie (124), couplé à l'îlot conducteur, avec une seconde borne du condensateur avec blocage couplé au sol. Un conducteur de sortie est en outre couplé à l'îlot conducteur par une cinquième pluralité de conducteurs (126), cet îlot conducteur étant en particulier placé à proximité de ladite puce de semiconducteur, et le condensateur avec blocage de sortie disposé entre cet îlot conducteur et le conducteur de sortie. Ainsi, l'inductance de transmission traversant la troisième et la quatrième pluralités de conducteurs, lesquels couplent les bornes de sorties des électrodes au condensateur avec blocage, est suffisamment faible pour permettre une adaptation de l'impédance de sortie du dispositif transistor à des fréquences de fonctionnement relativement élevées.

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