Forming microlenses on solid state imager

Details Forming microlenses on solid state imager Forming microlenses on solid state imager

H - Electricity

01

L

H01L 31/18 (2006.01) G03F 7/36 (2006.01) H01L 31/0232 (2006.01)

Patent

CA 2169923

Microlenses are formed on a solid state imager comprising a substrate having planar radiation-sensitive regions and upstanding electrode regions by forming a conformal layer of a first, low refractive index material on the substrate, and forming a conformal layer of a second, higher refractive index material on top of the layer of first material, and removing the upstanding portions of the layer of second material to render the upper surface of the second layer essentially parallel to the plane of the radiation-sensitive regions. The portions of the second material extending down between the upstanding electrode regions act as microlenses deflecting light which would otherwise fall on the radiation-insensitive electrode regions on to the radiation-sensitive regions, thus improving the quantum efficiency of the imager.

Des microlentilles sont formées sur un imageur à semiconducteur comprenant un substrat ayant des régions planes sensibles à un rayonnement et des régions d'électrodes surélevées en appliquant une couche d'un premier matériau d'indice de réfraction faible sur le substrat et en formant une couche d'un second matériau d'indice de réfraction plus élevé par-dessus la couche du premier matériau, puis en enlevant les parties surélevées de la couche de second matériau pour rendre la surface supérieure de la seconde couche parallèle au plan des régions sensibles au rayonnement. Les parties en second matériau s'étendant vers le bas entre les régions d'électrodes surélevées jouent le rôle de microlentilles déviant la lumière vers les régions sensibles au rayonnement, lumière qui autrement tomberait sur les régions d'électrodes insensibles au rayonnement, ceci afin d'améliorer le rendement quantique de l'imageur.

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