H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/433 (2006.01) H01L 23/055 (2006.01) H01L 23/13 (2006.01) H01L 23/24 (2006.01) H01L 23/373 (2006.01) H01L 23/498 (2006.01) H01L 23/64 (2006.01) H01L 23/10 (2006.01)
Patent
CA 2448338
The present invention provides an improved semiconductor flipchip package that includes a central cavity area on the first major side for receiving a flipchip die therein. The package substrate is substantially made from a single material that serves as the support and stiffener and provides within the cavity floor all the connecting points for flipchip interconnection to the silicon die. The integral cavity wall serves as a stiffener member of the package and provides the required mechanical stability of the whole arrangement without the need for a separate stiffener material to be adhesively attached. The cavity walls may contain extra routing metallization to create bypass capacitors to enhance electrical performance. The invention discloses optional methods to cover the silicon die to enhance thermal performance of the package.
La présente invention concerne un boîtier de puces à bosses à semiconducteur amélioré comprenant une cavité centrale sur la première face principale, conçue pour accueillir une tranche de semiconducteur de puces à bosses. Le substrat du boîtier est essentiellement formé d'un matériau unique qui sert de support et de renfort et procure tous les points de connexion dans le plancher de la cavité pour une interconnexion des puces à bosses sur la tranche de silicium. La paroi de la cavité solidaire sert d'élément de renfort au boîtier et apporte à l'ensemble du dispositif la stabilité mécanique requise, sans nécessiter la fixation par adhésif d'un matériau de renfort séparé. Les parois de la cavité peuvent contenir une métallisation de routage supplémentaire pour créer des capacités de dérivation afin d'améliorer le fonctionnement électrique. L'invention présente des procédés optionnels de revêtement de la tranche de silicium pour améliorer la résistance thermique du boîtier.
Eghan Abu K.
Hoang Lan H.
Smart & Biggar
Xilinx Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2044433