H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/41 (2006.01) G11C 5/02 (2006.01) G11C 11/22 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01)
Patent
CA 2467189
In a matrix-addressable apparatus comprising one or more memory devices with multidirectionally switchable memory cells (5) arranged in a passive matrix- addressable array, the memory cells comprise a memory medium in the form of a ferroelectric or electret thin-film memory material capable of being polarized by an applied electric field and exhibiting hysteresis, and preferably the memory material is a polymer or copolymer. A memory device in the apparatus comprises at least a first and a second electrode means (E 1;E2) such that the electrodes (.epsilon.2) of the second electrode means (E2) are provided in recesses (3) in the electrodes (.epsilon.1) of the first electrode means (E1) and oriented orthogonally thereto, the recesses (3) extending only half-way through the electrodes (.epsilon.1) of the first electrode means (E1). The electrodes (.epsilon.2) of the second electrode means (E2) are provided in the recesses (3) surrounded by memory material (4a,4b) which also contacts the crossing electrodes (.epsilon.1) of the first electrode means (E1) whereby a memory cell (5) is defined in the crossing between electrodes (.epsilon.1;.epsilon.2) of the first and second electrode means (E1;E2) respectively and formed by a memory material surrounding the electrodes (.epsilon.2) of the second means (E2) on at least three sides thereof, thus providing at least three switching directions in the memory cell (5) at different locations thereof. Two or more memory devices can be stacked in the apparatus according to the invention, thus implementing the latter as a volumetric data storage apparatus.
La présente invention concerne un appareil à adressage matriciel comprenant un ou plusieurs dispositifs mémoire comportant des cellules mémoire commutables multidirectionnellement (5) agencées en un réseau d'adressage matriciel passif, dans lequel les cellules mémoire comprennent un support mémoire sous la forme d'un matériau mémoire ferroélectrique ou électret à couche mince pouvant être polarisé par un champ électrique appliqué et présentant une hystérésis, lequel matériau mémoire est de préférence un polymère ou un copolymère. Un dispositif mémoire de l'appareil comprend au moins des premiers et des seconds moyens électrodes (E 1;E2), tels que les électrodes (.epsilon.2) des seconds moyens électrodes (E2) sont placées dans des cavités (3) formées dans les électrodes (.epsilon.1) des premiers moyens électrodes (E1) et orientées de façon orthogonale par rapport à ces dernières, les cavités (3) ne s'étendant qu'à moitié à travers les électrodes (.epsilon.1) des premiers moyens électrodes (E1). Les électrodes (.epsilon.2) des seconds moyens électrodes (E2) sont placées dans les cavités (3) entourées par le matériau mémoire (4a,4b) qui est également en contact avec les électrodes transversales (.epsilon.1) des premiers moyens électrodes (E1), ce qui fait qu'une cellule mémoire (5) est définie à l'intersection entre les électrodes (.epsilon.1, .epsilon.2) des premiers et seconds moyens électrodes (E1 ;E2) respectivement, et est formée par un matériau mémoire entourant les électrodes (.epsilon.2) des seconds moyens électrodes (E2) sur au moins trois côtés de ces dernières, constituant de la sorte au moins trois directions de commutation dans la cellule mémoire (5), en différents emplacements de cette dernière. Deux ou plusieurs dispositifs mémoire peuvent être empilés dans l'appareil de l'invention, ce qui permet de transformer ce dernier en un appareil de stockage de données volumétrique.
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Thin Film Electronics Asa
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