C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/021 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) C30B 35/00 (2006.01) F25D 15/00 (2006.01) F27B 11/00 (2006.01) F27B 17/00 (2006.01) F27D 1/00 (2006.01) F27D 3/12 (2006.01)
Patent
CA 2739349
A method of determining an amount of impurities that a contaminating material contributes to high purity silicon comprises the step of partially encasing a sample of high purity silicon in the contaminating material. The sample encased in the contaminating material is heated within a furnace. A change in impurity content of the high purity silicon is determined after the step of heating, compared to an impurity content of the high purity silicon prior to the step of heating. A furnace for heat treating high purity silicon comprises a housing that defines a heating chamber. The housing is at least partially formed from low contaminant material that contributes less than 400 parts per trillion of impurities to the high purity silicon during heating at annealing temperatures for a sufficient period time to anneal the high purity silicon, and the furnace contributes an average of less than 400 parts per trillion of impurities to the high purity silicon under the same heating conditions.
La présente invention concerne un procédé de détermination dune quantité dimpuretés contribuées par un matériau contaminant à du silicium de haute pureté comprenant une étape dencapsulation partielle dun échantillon de silicium de haute pureté dans le matériau contaminant. Léchantillon encapsulé dans le matériau contaminant est chauffé dans un four. Un changement dans la teneur en impuretés du silicium de haute pureté est déterminé après létape de chauffage, comparée à une teneur en impuretés du silicium de haute pureté préalable à létape de chauffage. Linvention concerne également un four pour traiter du silicium de haute pureté comportant un boîtier définissant une enceinte de chauffage. Le boîtier est au moins en partie formé à partir dune matériau peu contaminant qui contribue moins de 400 parties par trillion dimpuretés au silicium de haute pureté lors du chauffage à des températures de recuit pour une période suffisante pour le recuit du silicium de haute pureté, et le four contribue une moyenne de moins de 400 parties per trillion dimpuretés dans les mêmes conditions de chauffage.
Depesa Dennis
Host Jon
Houthoofd Troy
Rytlewski Alan
Gowling Lafleur Henderson Llp
Hemlock Semiconductor Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2059724