H - Electricity
01
J
H01J 37/32 (2006.01) C23C 16/04 (2006.01)
Patent
CA 2718253
System and technique for plasma enhanced chemical deposition (PECVD) wherein selective surfaces of tubular substrates may be treated to deposit thin films of a desired matter, wherein one of the electrodes employed in the plasma system is conformed by the substrate or workpiece without the need of bulky plasma reactors.
La présente invention concerne un système et une technique pour le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma selon lequel des surfaces sélectives de substrats tubulaires peuvent être traitées pour le dépôt de minces films d'un matériau souhaité, une des électrodes utilisées dans le système plasma étant conformée par le substrat ou la pièce sans nécessiter de réacteurs plasma volumineux.
Biana Ricardo Enrique
Alytus Corporation S.a.
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2061804