Ferroelectric memory or a method of producing the same

Details Ferroelectric memory or a method of producing the same Ferroelectric memory or a method of producing the same

H - Electricity

01

L

H01L 21/8247 (2006.01) H01L 21/822 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01) H01L 21/8246 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01) H01L 27/108 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 29/51 (2006.01) H01L 29/788 (2006.01) H01L 29/792 (2006.01)

Patent

CA 2310005

A gate oxide film (4), a floating gate electrode (5), a ferroelectric layer (6) and a control gate electrode (7) are successively formed on a semiconductor layer (1) between a drain region (2) and a source region (3). A silicon oxide film (9) having a dielectric constant smaller than that of the ferroelectric layer (6) is formed between the floating gate electrode (5) and the ferroelectric layer (6) in the region other than the generally central portion of the active region. The silicon oxide film (9) has a dielectric constant which is much smaller than that of the ferroelectric material. The capacitance of the region where the silicon oxide film (9) exists can be neglected. Therefore, the capacitance of the ferroelectric layer can be substantially decreased, thereby increasing the partial voltage that is applied.

Une couche mince (4) d'oxyde de grille, une électrode (5) de grille flottante, une couche ferroélectrique (6) et une électrode (7) de grille de commande sont formées successivement sur une couche (1) de semi-conducteur entre une région (2) de drain et une région (3) de source. Une couche mince (9) d'oxyde de silicium présentant une constante diélectrique inférieure à celle de la couche ferroélectrique est formée entre l'électrode (5) de grille flottante et la couche ferroélectrique (6) dans une région autre que la partie centrale de la région active. La couche mince (9) d'oxyde de silicium présente une constante diélectrique beaucoup plus petite que celle du matériau ferroélectrique. La capacité de la région où se trouve la couche mince (9) d'oxyde de silicium peut être négligée. Par conséquent, la capacité de la couche ferroélectrique peut être réduite sensiblement, augmentant ainsi la tension partielle appliquée.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Ferroelectric memory or a method of producing the same does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Ferroelectric memory or a method of producing the same, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Ferroelectric memory or a method of producing the same will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-2065356