H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/768 (2006.01) H01L 23/532 (2006.01)
Patent
CA 2433153
A method of forming a microelectronic device while preventing photoresist poisoning. Various layers of conductive metals and dielectric materials are deposited onto a substrate in selective sequence to form an integrated circuit. Vias and trenches are formed throughout the structure by exposing and patterning a photoresist material. The dielectric materials of the insulating layers are protected from the photoresist to prevent chemical reactions which lead to photoresist poisoning. This is done by forming a modified surface layer on the dielectric material by either depositing an additional layer that covers the dielectric material, or by modifying the exposed surface of the dielectric material to a plasma or chemical treatment.
L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif microélectronique, qui évite l'empoisonnement de la photorésine. Diverses couches de métaux conducteurs et de matériaux diélectriques sont déposées sur un substrat, dans un ordre sélectif, pour former un circuit intégré. Des trous de raccordement et des tranchées sont formés sur l'ensemble de la structure par exposition d'un matériau de photorésine et par élaboration de motifs sur ce dernier. Les matériaux diélectriques des couches isolantes sont protégés de la photorésine pour empêcher des réactions chimiques qui provoquent l'empoisonnement de la photorésine. Cela est réalisé par formation d'une couche de surface modifiée sur le matériau diélectrique, soit par dépôt d'une couche supplémentaire qui recouvre le matériau diélectrique, soit par modification de la surface exposée du matériau diélectrique par traitement plasma ou chimique.
Daniels Brian J.
Dunne Jude A.
Kennedy Joseph T.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Honeywell International Inc.
LandOfFree
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