H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/26 (2006.01)
Patent
CA 2585009
Embodiments of the present invention are provided for improved contact doping and annealing systems and processes. In embodiments, a plasma ion immersion implantation (PIII) process is used for contact doping of nanowires and other nanoelement based thin film devices. According to further embodiments of the present invention, pulsed laser annealing using laser energy at relatively low laser fluences below about 100 mJ/cm2 (e.g., less than about 50 mJ/cm2, e.g., between about 2 and 18 mJ/cm2) is used to anneal nanowire and other nanoelement-based devices on substrates, such as low temperature flexible substrates, e.g., plastic substrates.
Dans certains modes de réalisation, cette invention concerne un dopage de contact amélioré et des systèmes et des processus de recuit. Dans certains modes de réalisation de l'invention, un processus d'implantation (PIII) par immersion ionique au plasma est utilisé pour doper le contact de dispositifs films minces à base de nanofils et d'autres nanoéléments. Selon d'autres modes de réalisation de l'invention, un recuit par laser pulsé utilisant l'énergie laser à un flux laser relativement faible inférieur à environ 100 mJ/cm2 (par exemple inférieur à environ 50 mJ/cm2, par exemple, entre environ 2 et 18 mJ/cm2) est utilisé pour un recuit de dispositifs à base de nanofils et d'autres nanoéléments sur des substrats, tels que des substrats souples basse température, par exemple des substrats de plastique.
Pan Yaoling
Stumbo David P.
Fetherstonhaugh & Co.
Nanosys Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2072889