A bipolar transistor structure

H - Electricity – 01 – L

Patent

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H01L 29/73 (2006.01) H01L 23/64 (2006.01) H01L 27/02 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01)

Patent

CA 2285432

In order to avoid thermal runaway in bipolar transistors, emitters are provided with ballast resistors. It is proposed to use elongate ballast resistors, part of the lengths being connected for obtaining suitable resistance and design variability. In an aspect is proposed the splitting up emitters (3) into a plurality of emitter portions and to provide them each with a separate emitter ballast resistor. In a preferred embodiment, also collector and base are correspondingly split up, and the transistor split up into unit cells, each comprising an emitter, a ballast resistor, a base and a collector, which are respectively connected via respective common leads (10, 11, 12). This structure may advantageously be realized in SOI technique, the galvanic isolation enabling unproblematic mixing of digital, analog and power devices on the same chip.

Afin d'éviter les dépassements thermiques dans des transistors bipolaires, les émetteurs sont pourvus de résistances de stabilisation. On utilise des résistances de stabilisation allongées, une partie de la longueur étant montée de façon à obtenir une résistance adéquate et différentes variantes de conception. Dans un aspect, il est proposé de répartir les émetteurs (3) en une pluralité de parties émettrices et de doter chacune de ces parties d'une résistance de stabilisation d'émetteur distincte. Dans une réalisation préférée, collecteur et base sont découpées de façon correspondante, le transistor étant divisé en cellules unitaires comprenant chacune un émetteur, une résistance de stabilisation, une base et un collecteur, raccordés les uns et les autres via des fils (10, 11, 12) communs. Cette structure peut avantageusement être réalisée en technologie SOI, l'isolation galvanique permettant un mélange convenable des dispositifs numériques, analogiques et de puissance sur la même puce.

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