G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01) H01L 27/06 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H03K 19/177 (2006.01)
Patent
CA 2301283
In a ferroelectric data-processing device for processing and/or storage of data with active or passive electrical addressing a data-carrying medium are used in the form of a thin film (1) of ferroelectric material which by an applied electric field is polarized to determined polarization states or switched therebetween and is provided as a continuous or patterned layer above and adjacent to electrode structures in the form of a matrix, the electrode structures being mutually isolated by an electrical isolating material (6). A logic element (4) is formed in the thin film (1) along the side edges of an y electrode (3) and down to the x electrode (2) at the overlap. The logic element (4) is addressed by applying to the electrodes (2,3) a voltage greater than the coercivity field of the ferroelectric material. Dependent on the polarization state and the form of the hysteresis loop of the ferroelectric material a distinct detection of the polarization state in the logic element (4) is obtained and it may also be; possible to switch between the polarization states of the logic element, which hence may be used for implementing a bistable switch or a memory cell. The data-processing device according to the invention may be stacked layerwise if the separate layers are separated by an electrical insulating layer and hence be used for implementing volumetric data-processing devices.
L'invention concerne un dispositif de traitement de données ferroélectrique destiné au traitement et/ou à la mémorisation de données avec un adressage électrique, le dispositif comprenant un support de données sous la forme d'un film mince (1) de matière ferroélectrique qui, par application d'un champ électrique, est polarisé dans des états de polarisation déterminés ou commutés entre ces états; ce film se présente comme une couche continue à l'intérieur ou à côté de structures d'électrodes en forme de matrice. Un élément logique (4) est formé à l'intersection entre une électrode x (2) et une électrode y (3) de la matrice d'électrodes. On adresse l'élément logique (4) par application aux électrodes (2, 3) d'une tension supérieure au champ coercitif de la matière ferroélectrique. En fonction de l'état de polarisation et de la forme du cycle d'hystérésis de la matière ferroélectrique, on obtient une détection distincte de l'état de polarisation de l'élément logique (4) et il est également possible d'effectuer une commutation entre les états de polarisation de l'élément logique qu'on peut alors utiliser pour configurer un commutateur bi-stable ou une cellule mémoire. Le dispositif de traitement de données selon l'invention peut être empilé en couches si les couches distinctes sont séparées par une couche d'isolation électrique et peuvent alors être utilisées dans la configuration de dispositifs de traitement de données volumétriques.
Gudesen Hans Gude
Leistad Geirr I.
Nordal Per-Erik
Robic
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
A ferroelectric data processing device does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with A ferroelectric data processing device, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and A ferroelectric data processing device will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-2080442