G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01) G11C 13/02 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) H01L 23/532 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 27/28 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01)
Patent
CA 2429887
A ferroelectric memory circuit (C) comprises a ferroelectric memory cell in the form of a ferroelectric polymer thin film (F) and first and second electrodes (E1; E2) respectively, contacting the ferroelectric memory cell (F) at opposite surfaces thereof, whereby a polarization state of the cell can be set, switched or detected by applying appropriate voltages to the electrodes (E1; E2). At least one of the electrodes (E1; E2) comprises at least one contact layer (P1; P2), said at least one contact layer (P1; P2) comprising a conducting polymer contacting the memory cell (C), and optionally a second layer (M1; M2) of a metal film contacting the conducting polymer (P1; P2), whereby said at least one of the electrodes (E1; E2) either comprises a conducting polymer contact layer (P1; P2) only, or a combination of a conducting polymer contact layer (P1; P2) and a metal film layer (M1; M2). A method in the fabrication of a ferroelectric memory circuit of this kind comprises steps for depositing a first contact layer of conducting polymer thin film on the substrate, depositing subsequently a ferroelectric polymer thin film on the first contact layer, and then depositing a second contact layer on the top of the ferroelectric polymer thin film.
Cette invention concerne un circuit de mémoire ferroélectrique (C) comprenant une cellule de mémoire ferroélectrique sous forme d'un film mince de polymère ferroélectrique (F) ainsi qu'une première et une seconde électrodes (E¿1?; E¿2?) en contact avec des surfaces opposées de la cellule de mémoire ferroélectrique (F). L'état de polarisation de la cellule peut être réglé, commuté ou détecté par application d'une tension appropriée aux électrodes (E¿1?; E¿2?). Au moins une des électrodes (E¿1?; E¿2?) comprend au moins une couche de contact (P¿1?; P¿2?), laquelle couche de contact (P¿1?; P¿2?) comprend un polymère conducteur en contact avec la cellule de mémoire (C) et, éventuellement, une seconde couche (M¿1?; M¿2?) faite d'un film métallique en contact avec le polymère conducteur (P¿1?; P¿2?). L'une au moins desdites électrodes (E¿1?; E¿2?) comprend soit seulement une couche de contact polymère conductrice (P¿1?; P¿2?), soit une combinaison de couche de contact polymère conductrice (P¿1?; P¿2?), et d'une couche à film métallique (M¿1?; M¿2?). Le procédé de fabrication d'un circuit de mémoire ferroélectrique de ce type consiste à déposer une première couche de contact de film mince polymère conducteur on le substrat, à déposer ensuite un film mince polymère ferroélectrique sur la première couche de contact, puis à déposer une seconde couche de contact par dessus le film mince polymère ferroélectrique.
Chen Lichun
Johansson Nicklas
Robic
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1976201