G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01) H01L 23/532 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
Patent
CA 2464082
In a ferroelectric or electret memory circuit (C), particularly a ferroelectric or electret memory circuit with improved fatigue resistance, comprising a ferroelectric or electret memory cell with a polymer or oligomer memory material (2) contacting first and second electrodes, at least one of the electrodes comprises at least one functional material capable of physical and/or chemical bulk incorporation of atomic or molecular species contained in either the electrode (1a;1b) or the memory material (2) and displaying a propensity for migrating in the form of mobile charged and/or neutral particles between an electrode and a memory material, something which can be detrimental to both. A functional material (3) with the above mentioned properties shall serve to offset any adverse effect of a migration of this kind, leading to an improvement in the fatigue resistance of the memory cell (C). Use in a matrix-addressable memory device where the memory cells (C) are formed in distinct portions in a global layer of a ferroelectric or electret thin-film memory material (2), particularly a polymer material.
L'invention concerne un circuit de mémoire ferroélectrique ou à électret (C), plus spécifiquement un circuit de mémoire ferroélectrique ou à électret avec une résistance à la fatigue améliorée, qui comprend une cellule de mémoire ferroélectrique ou à électret, de préférence d'un matériau de mémoire polymère ou oligomère en contact avec des première et seconde électrodes, au moins une des électrodes comprenant au moins un matériau fonctionnel capable d'incorporation en vrac physique et/ou chimique d'espèces atomiques ou moléculaires contenues soit dans l'une ou l'autre électrode soit dans le matériau de mémoire, lesquelles espèces atomiques ou moléculaires font preuve d'une propension à migrer sous forme de particules chargées et/ou neutres mobiles entre une électrode et un matériau de mémoire, ce qui peut être nuisible aux deux. Un matériau fonctionnel avec les propriétés susmentionnées peut servir pour compenser tout effet négatif d'une migration de ce genre, ce qui a pour résultat une amélioration de la résistance à la fatigue de la cellule de mémoire. Ce matériau est utilisé dans un dispositif de mémoire adressable à matrice dans lequel les cellules de mémoire sont formées en parties distinctes dans une couche globale d'un matériau de mémoire sous forme de film fin ferroélectrique ou à électret, plus spécifiquement un matériau polymère.
Gudesen Hans Gude
Nordal Per-Erik
Robic
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2091710