H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/12 (2006.01)
Patent
CA 2310604
A gain coupled DFB semiconductor laser with a high order grating structure is provided. By varying the order and duty cycle of the grating and shape of grooves, a predetermined ratio of gain to index coupling coefficients is obtained. Beneficially the laser includes a multiple quantum well structure with the grating etched directly through the quantum wells of the active region. Deep etching ensures strong gain coupling in the laser while usage of a high order grating reduces index coupling associated with the etching. As a result, a stable, high yield, high power and single mode operation of the DFB laser is achieved. For gratings of a particular order of diffraction, duty cycle, shape of grooves and depth of etching index coupling may be substantially reduced or eliminated. Correspondingly, a purely gain coupled DFB laser may be obtained. It is also easier to manufacture high order DFB lasers because of the larger period of gratings allowing larger fabrication tolerances. A method of producing a complex coupled DFB semiconductor laser having a predetermined ratio of gain to index coupling, and a method of obtaining a purely gain/loss coupled semiconductor DFB laser are also provided.
L'invention concerne un laser à semi-conducteur à rétroaction répartie et à couplage de gain, avec une structure de réseau de diffraction d'ordre élevé. En faisant varier l'ordre et leapport cyclique du réseau et la forme des sillons, on obtient un rapport prédéterminé du gain sur les coefficients de couplage d'indices. De manière avantageuse, le laser comprend un multipuits quantique, le réseau étant gravé directement dans les puits quantiques de la zone active. Le gravage profond assure un couplage de gain résistant dans le laser tandis que l'utilisation d'un réseau d'ordre élevé assure un couplage d'indice associé au gravage. Par conséquent, on obtient un fonctionnement en mode unique, à puissance élevée, à fort rendement et à grande stabilité pour le laser à rétroaction répartie. Pour les réseaux d'un ordre de diffraction, d'un rapport cyclique, d'une forme de sillons et d'une profondeur de gravage donnés, le couplage d'indices peut être sensiblement réduit ou supprimé. De manière correspondante, il est possible d'obtenir un laser à rétroaction répartie à couplage de gain pur. Il est également plus facile de fabriquer des lasers à rétroaction répartie d'ordre élevé compte tenu de la plus longue période des réseaux permettant des tolérances de fabrication supérieures. L'invention traite d'un procédé de production d'un laser à semi-conducteurs à rétroaction répartie à couplage complexe,résentant un rapport de gain sur le couplage d'indice prédéterminé. En outre, l'invention a pour objet un procédé permettant d'obtenir un laser à rétroaction répartie à semi-conducteur à pur couplage de gain/perte.
Hong Jin
Makino Toshihiko
Bookham Technology Plc
Mbm Intellectual Property Law Llp
Nortel Networks Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2080578