A laser diode of the type having a buried heterostructure

Details A laser diode of the type having a buried heterostructure A laser diode of the type having a buried heterostructure

H - Electricity

01

S

H01S 5/32 (2006.01) H01S 5/227 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01)

Patent

CA 2294808

In a semicondutor laser of the BH-type comprising a lateral current blocking structure which is constituted of an n-p-n-p- or n-SI-n-p-sequence of layers (5, 9, 11, 3), located on both sides of a buried active region, one or more thin layers (13, 15) are inserted between the second n-doped layer and the second p-doped layer. The thin, extra layers (11, 13) are p-doped and consist of alternatingly materials having a high bandgap and a low bandgap. These thin layers provide a larger forward voltage drop at moderate high current densities and thereby give a better current confinement in the laser, what in turn gives a higher optical output power and a smaller deviation of the output power/current characteristic thereof from a linear behaviour.

Dans un laser semi-conducteur de type BH, comprenant une structure latérale de blocage du courant, et qui est constituée d'une suite de couches n-p-n-p- ou n-SI-n-p (5, 9, 11, 3) situées de parte et d'autre de la région active enterrée, une ou plusieurs couches minces (13, 15) sont insérées entre la seconde couche dopée n et la seconde couche dopée p. Les couches minces supplémentaires (11, 13), qui sont dopées p, sont faites de matériaux présentant en alternance une structure de bande élevée et une structure de bande basse. Pour les densités de courant modérées à haute, ces couches fines assurent une chute de tension aval plus importante, ce qui permet un meilleur confinement du courant dans le laser, et par conséquent, une puissance de sortie optique plus élevée, et un moindre écart des caractéristiques de ce courant ou de cette puissance de sortie par rapport à un comportement linéaire.

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