H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/00 (2006.01) H01S 5/042 (2006.01) H01S 5/32 (2006.01)
Patent
CA 2477989
A laser diode that has a plurality of semiconductor epitaxial layers grown on a substrate (30). The diode includes a light generating layer (34) located between two layers of n-type material (32 and 34). A thin layer of p-type material (36 and 38) is interposed between the active layer (34) and an n-type layer (40 and 42). The Diode includes a layer of n-doped material (32) located adjacent to a substrate (30). The laser diode further includes a contact (44). The contact (44) is biased so as to induce a recombination of holes and electrons in the active region (34) and generate light.
Cette invention concerne une diode laser comportant une pluralité de couches épitaxiales semi-conductrices formées sur un substrat. La diode comprend une couche générant de la lumière disposées entre deux couches de matériau de type n. Une mince couche de matériau de type p est intercalée entre la couche active et la couche de type n. La diode comprend une couche de matériau dopé n disposé contre un substrat. De plus, la diode laser comprend une couche active disposée entre la couche dopée n et une couche de matériau dopée p. Une couche supplémentaire de matériau dopée est disposée entre la couche dopée p et un contact. Ce contact est polarisé, ce qui induit une recombinaison des trous et des électrons dans la région active et produit de la lumière. La lumière voyage le long de la couche active, de la couche dopée p et dans les deux couches dopées n. La présence d'une couche dopée n entre le contact et la couche dopée p réduit l'ampleur de l'absorption de photons dans la diode laser. Il en résulte des améliorations en termes de rendement énergétique, de besoins en courant et de longévité de la diode laser. Les couches adjacentes dopées p et dopées n comprennent des couches tunnel qui permettent à un courant tunnel de s'écouler régulièrement bien que la jonction soit soumise à une polarisation inverse.
Quintessence Photonics Corporation
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1859827