G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/42 (2006.01) H01L 27/00 (2006.01) H01L 27/32 (2006.01) H01L 27/15 (2006.01)
Patent
CA 2466682
In a matrix-addressable optoelectronic apparatus comprising a functional medium in the form of an optoelectronically active material (3) provided in a global layer in sandwich between a first and second electrode means (EMl,EM2) with parallel strip-like electrodes (1; 2) wherein the electrodes (2) of the second electrode means (EM2) are oriented at an angle to the electrodes (1) of the first electrode means (EM2), functional elements (5) are formed in the active material where respective electrodes (1, 2) overlap and correspond to optically active pixels (5) in a display device or pixels (5) in an optical detector, depending upon the active material (3) used. In each of the electrode means (EM1; EM2) the electrodes (1; 2) are provided in a dense parallel configuration and mutually insulated by a thin film (6) with a thickness that is only a fraction of the width of the electrodes. This allows for a fill factor of pixels (5) in the active material (3) approaching unity and a corresponding high degree of pixellation, thus providing either a display with a high surface brightness and high resolution or an optical detector with high sensitivity and high resolution.
L'invention concerne un appareil optoélectronique à adressage matriciel, comprenant un milieu fonctionnel sous forme de matériau (3) actif optoélectronique disposé dans une couche globale, en sandwich entre un premier et un deuxième élément électrode (EMl, EM2) à électrodes parallèles de type barrettes (1, 2), les électrodes (2) du deuxième élément (EM2) étant orientées en angle relativement aux électrodes (1) du premier élément (EM2). Des éléments fonctionnels (5) se trouvent dans le matériau actif où les électrodes (1, 2) respectivement superposées correspondent à des pixels (5) optiquement actifs dans un dispositif d'affichage ou à des pixels (5) d'un capteur optique, en fonction du matériau actif (3) utilisé. Dans chaque élément électrode (EM1, EM2), les électrodes (1, 2) sont disposées selon une configuration parallèle dense et mutuellement isolées par une fine pellicule (6) dont l'épaisseur ne représente qu'une fraction de la largeur des électrodes. Ceci permet de réaliser un facteur de remplissage de pixels (5) dans le matériau actif (3) proche de l'unité, donc un taux de pixelation élevé, d'où l'obtention soit d'un affichage à haute luminosité de surface et à résolution élevée, soit d'un capteur optique à haute sensibilité et haute résolution.
Gudesen Hans Gude
Leistad Geirr I.
Nordal Per-Erik
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1587282