G - Physics – 01 – D
Patent
G - Physics
01
D
G01D 5/18 (2006.01) G11C 27/02 (2006.01)
Patent
CA 2257900
In a digital BiCMOS process the storage capability of MOS transistors and the large transconductance of bipolar transistors can be utilized in such a way, that the speed is primarily determined by the capacitance seen by the MOS transistor (4) and the transconductance of the bipolar transistor (5). The advantages over the prior S1 technique in CMOS are higher speed, smaller errors and higher accuracy. The advantages over other techniques in BiCMOS are smaller errors and higher accuracy. The unique feature of the invented technique is the combination of high input impedance of the MOS devices and high transconductance of the bipolar devices, where both devices are only available in BiCMOS process and not in the CMOS process.
Dans un processus numérique BiCMOS, on peut utiliser la capacité de stockage de transistors MOS et la transconductance importante de transistors bipolaires de telle façon que la vitesse est d'abord déterminée par la capacité depuis le transistor MOS (4) et par la transconductance du transistor bipolaire (5). Les avantages par rapport à l'état actuel de la technique des courants commutés dans les CMOS consistent en une vitesse supérieure, des erreurs limitées et une précision plus importante. Les avantages par rapport à d'autres techniques des BiCMOS consistent en des erreurs limitées et une précision plus importante. La caractéristique unique de la technique décrite par l'invention consiste en la combinaison d'une impédance d'entrée élevée des transistors MOS et de la transconductance élevée des transistors bipolaires, les deux transistors n'étant disponibles que dans le processus BiCMOS et non dans le processus CMOS.
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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