H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/64 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) H01L 21/822 (2006.01) H01L 51/40 (2006.01)
Patent
CA 2319430
In a method for generating electrical conducting or semiconducting structures in three dimensions in a matrix which comprises two or more materials in spatially separated material structures, an electric field is applied to the separate material structure or the field-modulated spatially according to a protocol which represents a predetermined pattern of electrical conducting or semiconducting structures which are generated in the material structure in response to the field. The matrix composed by the material structures will hence comprise structures of this kind in three dimensions. In a method for global erasing an electric field is applied to the matrix until the materials in the matrix in response to the field in their entirety arrive in a non-conducting state. In an electric field generator/modulator (EFGM) which can be used for patterning and generating electrical conducting or semiconducting structures, two electrode means (E1;E2) comprise parallel strip electrodes (21;22) provided mutually spaced apart in parallel planes such that the electrodes (21, 22) form a matrix-like arrangement. The electrode means (E1;E2) are over cross-connection devices (24, 25) connected with a power supply (23). EFGM (20) is adapted for receiving a thin-film material between the electrode devices (E1, E2) in order to generate said structures.
La présente invention concerne un procédé de génération de structures tridimensionnelles électroconductrices ou semi-conductrices dans une matrice constituée d'au moins deux matériaux appartenant à des structures matérielles spatialement séparées. Ce procédé consiste à appliquer un champ électrique à la structure matérielle séparée. On peut prendre également une modulation spatiale réalisée par le champ en respectant un protocole qui représente un modèle défini de structures électroconductrices ou semi-conductrices qui sont générées dans la structure matérielle en réaction du champ. La matrice composée par les structures matérielles comprendra donc systématiquement des structures tridimensionnelles de cette sorte. S'agissant de l'effacement global, le procédé consiste à appliquer à la matrice un champ électrique jusqu'à ce que les matériaux obtenus dans la matrice arrivent dans leur totalité, en réaction au champ, à l'état non conducteur. L'invention concerne également un générateur/modulateur de champ électrique (EFGM) permettant la mise en forme et la génération de structures électroconductrices ou semi-conductrices. Ce générateur comporte deux éléments à électrodes (E1, E2) pourvus d'électrodes en bandes parallèles (21, 22) séparées les unes des autres de façon à former des plans parallèles pour que les électrodes (21, 22) prennent une disposition de type matriciel. Les éléments à électrodes (E1, E2) sont raccordés à une alimentation électrique (23) par des organes d'interconnexion (24, 25). Le générateur EFGM (20) est conçu pour recevoir un matériau en film mince entre les éléments à électrodes (E1, E2) de façon à générer les structures considérées.
Gudesen Hans Gude
Leistad Geirr I.
Nordal Per-Erik
Robic
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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