G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01) C23C 14/24 (2006.01) H01L 21/285 (2006.01) H01L 21/3205 (2006.01)
Patent
CA 2488829
In a method for making ferroelectric memory cells in a ferroelectric memory device a first electrode comprising at least one metal layer and optionally at least one metal oxide layer is formed on a silicon substrate which has an optional insulating layer of silicon dioxide. A ferroelectric layer consisting of a thin film of ferroelectric polymer is formed on the top of the first electrode layer and at least a second electrode comprising at least one metal layer and at least one metal oxide layer is formed on the ferroelectric layer. The second electrode is deposited by thermal evaporation of a high-purity evaporation source from an effusion cell onto the ferroelectric layer in a vacuum chamber filled with a gas or a gas mixture. A ferroelectric memory device wherein the memory cell has been made with the above method, comprises at least a first and a second set of respectively parallel electrodes (510; 530), wherein the electrodes (510; 530) in a set are provided orthogonally to the electrodes (530; 510) of a nearest following set and with memory cells formed in a ferroelectric layer (520) provided between successive electrode sets, such that memory cells are defined in the crossings between the electrodes (510; 530) which contact the ferroelectric layer (520) on each side thereof.
Cette invention se rapporte à un procédé servant à fabriquer des cellules mémoire ferroélectriques dans un dispositif mémoire ferroélectrique et consistant à cet effet à former une première électrode comprenant au moins une couche métallique et éventuellement au moins une couche d'oxyde métallique sur un substrat de silicium possédant une couche isolante optionnelle de dioxyde de silicium. Une couche ferroélectrique composée d'un film mince de polymère ferroélectrique est formée sur le dessus de la première couche d'électrode et au moins une seconde électrode comprenant au moins une couche métallique et au moins une couche d'oxyde métallique est formée sur la couche ferroélectrique. La seconde électrode est déposée par évaporation thermique d'une source d'évaporation très pure depuis une cellule d'effusion sur la couche ferroélectrique dans une chambre sous vide remplie d'un gaze ou d'un mélange gazeux. Un dispositif mémoire ferroélectrique dont la cellule mémoire est fabriquée selon ce procédé comprend au moins un premier et un second groupe d'électrodes respectivement parallèles (510; 530). Les électrodes (510; 530) de l'un de ces groupes sont disposées perpendiculairement aux électrodes (530; 510) d'un groupe suivant le plus proche et les cellules mémoire sont formées dans une couche ferroélectrique (520) située entre des groupes d'électrodes successifs, de telle sorte que les cellules mémoire sont définies aux croisements des électrodes (510; 530) qui sont en contact avec la couche ferroélectrique (520) de part et d'autre de celle-ci.
Carlsson Johan
Edvardsson Niclas
Gustafsson Goeran
Ljungcrantz Henrik
Robic
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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