G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01) G11C 7/00 (2006.01) G11C 29/00 (2006.01)
Patent
CA 2429366
In a method for determining a logic state of a memory cell in a data storage device, wherein the cell stores data in the form of an electrical polarization state in a capacitor containing a polarizable material, a time-dependent small- signal voltage is applied over the capacitor, and at least one component of a generated small-signal current response is recorded. This component shall have either a linear or non-linear relationship to the small-signal voltage, such that logic state can be determined by temporal correlation between the small- signal voltage and a recorded component. According to a first embodiment, an apparatus for performing a phase comparison in the above method comprises a phase-sensitive detector and discriminator, connected with a memory cell for receiving a response signal therefrom and with a signal generator for receiving the read signal input to the memory cell, applying the read signal as a reference in the phase sensitive detector and discriminator for determining a logic state of the memory cell.
méthode de détermination d'un état logique dans une cellule de mémoire de dispositif de stockage de données selon laquelle la cellule stocke des données sous forme d'un état de polarisation électrique dans un condensateur qui renferme un matériau polarisable. On applique une tension de faible signal dépendante dans le temps et on enregistre au moins une composante de la réponse générée par le courant de faible signal. Cette composante doit présenter un rapport linéaire ou non linéaire avec la tension de faible signal, de telle sorte que l'état logique puisse être déterminé par la corrélation temporelle entre la tension de faible signal et une composant enregistrée. Selon un premier mode de réalisation, un dispositif fait pour exécuter une comparaison de phase dans le cadre de la méthode susdécrite comprend un détecteur sensible à la phase et un discriminateur, connectés à une cellule mémoire pour la réception d'un signal réponse, et avec une génératrice de signaux pour la réception du signal de lecture entré dans la cellule de mémoire, l'application d'un signal de lecture comme référence dans le détecteur sensible à la phase et un discriminateur permettant de déterminer un état logique de la cellule de mémoire.
Robic
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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