G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01)
Patent
CA 2496670
In a method for operating a matrix-addressable ferroelectric or electret memory device a first plurality of voltage differences is applied across first and second sets of electrodes when data are read from the memory cells thereof and a second plurality of voltage differences is applied across the first and, second sets of electrodes in the case where data are refreshed or rewritten to the memory cells. In each case the first and second plurality of voltage differences correspond to sets of potential levels as predefined by a voltage pulse protocol comprising time sequences of voltage pulses. At least one parameter indicative of a change in a memory cell response is determined and used for determining at least one correction factor for the voltage pulses, whereby at least one pulse parameter thereof is adjusted in accordance with the at least one correction factor. The invention also relates to a ferroelectric or electret memory device for implementing the above method.
Selon l'invention, un procédé de mise en oeuvre d'un dispositif à mémoire ferroélectrique ou électret à adressage matriciel consiste à appliquer une première pluralité de différences de tension sur des premier et second ensembles d'électrodes lorsque les données sont lues à partir des cellules mémoire, et à appliquer une seconde pluralité de différences de tension sur lesdits premier et second ensembles d'électrodes si les données sont rafraîchies ou réécrites sur les cellules mémoire. Dans chaque cas, lesdites première et seconde pluralités de différences de tension correspondent aux ensembles de niveaux potentiels tels que prédéfinis par un protocole à impulsions de tension comprenant des séquences temporelles d'impulsions de tension. Au moins un paramètre indiquant un changement dans la réponse des cellules mémoire est déterminé et utilisé pour déterminer au moins un facteur de correction pour les impulsions de tension, au moins un paramètre d'impulsion correspondant étant ajusté selon ledit facteur de correction. L'invention concerne également un dispositif à mémoire ferroélectrique ou électret destiné à la mise en oeuvre du procédé susmentionné.
Broms Per
Gudesen Hans Gude
Johansson Mats
Leistad Geirr I.
Nordal Per-Erik
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1949558