G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01)
Patent
CA 2415661
Apparatus and method for performing read and write operations in a passive matrix-addressed memory array of memory cells comprising an electrically polarizable material exhibiting polarization remanence, in particular an electret or ferroelectric material, wherein a logical value stored in a memory cell is represented by an actual polarization state in the memory cell, a degree of polarization in the polarizable material is limited during each read and write operation to a value defined by a circuit device controlling the read and write operations, with said value ranging from zero to an upper limit corresponding to saturation of the polarization and consistent with predetermined criteria for a reliable detection of a logic state of a memory cell.
La présente invention concerne un procédé de lecture et d'écriture dans un réseau de mémoire d'adressage à matrice passive de cellules mémoire qui comprend un matériau électriquement polarisable présentant une rémanence de polarisation, et en particulier un électret ou un matériau ferroélectrique. Une valeur logique stockée dans une cellule mémoire est représentée par un état de polarisation réel dans cette cellule mémoire. Un degré de polarisation dans ce matériau polarisable est limité pendant chaque cycle de lecture et d'écriture à une valeur définie par un dispositif de circuit commandant les opérations de lecture et d'écriture, cette valeur étant comprise entre zéro et une limite supérieure correspondant à la saturation de polarisation, et cohérente avec le critère prédéterminé en vue d'obtenir une détection fiable de l'état logique d'une cellule mémoire. Cette invention concerne aussi un appareil permettant de réaliser les opérations d'écriture et de lecture dans un réseau de mémoires d'adressage à matrice passive et comprenant des cellules mémoire contenant un matériau électriquement polarisable présentant une rémanence de polarisation, en particulier un matériau ferroélectrique. Ce appareil comprend un circuit qui règle une application de tension destinée à adresser les cellules mémoire de façon à limiter un degré de changement de polarisation dans ce matériau polarisable pendant chaque cycle de lecture et d'écriture à une valeur définie par un circuit commandant ces opérations de lecture et d'écriture.
Broms Per
Gudesen Hans Gude
Johansson Mats
Nordal Per-Erik
Robic
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1447823