A method of producing thin silicon films

Details A method of producing thin silicon films A method of producing thin silicon films

H - Electricity

01

L

H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/308 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)

Patent

CA 2278174

A method of producing thin single crystal silicon films (5). The method includes forming a single crystal substrate (1), depositing or forming a thin single crystal silicon film (5) having the same crystal orientation as said substrate in, on or adjacent to the substrate (1) and providing a plurality of spaced apart etchant access regions (6) through the film (5) or substrate (1). Liftoff of the film (5) is effected by simultaneous etching via the etchant access regions (6). The amount of etching required and the degree of access for etchant provides for detachment without significant degradation of film (5).

Ce procédé de production de films pelliculaires (5) de silicium monocristallin comprend les étapes consistant à former un substrat monocristallin (1), à déposer ou à former un film pelliculaire de silicium monocristallin (5) présentant la même orientation cristalline que celle du substrat, ce dépôt ou cette formation s'effectuant dans le substrat (1), sur celui-ci ou de façon adjacente à celui-ci, puis à préparer une pluralité de régions d'accès pour un agent de gravure, séparées les unes des autres (6), à travers le film (5) ou le substrat (1). L'enlèvement du film (5) s'effectue par gravure simultanée via lesdites régions d'accès (6). La quantité de gravure requise et le degré d'accès de l'agent de gravure permettent d'obtenir un détachement du film (5) sans dégradation importante de celui-ci.

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