H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/301 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/30 (2006.01)
Patent
CA 2482258
Ge/Si and other nonsilicon film heterostructures are formed by hydrogen- induced exfoliation of the Ge film which is wafer bonded to a cheaper substrate, such as Si. A thin, single-crystal layer of Ge is transferred to Si substrate. The bond at the interface of the Ge/Si heterostructures is covalent to ensure good thermal contact, mechanical strength, and to enable the formation of an ohmic contact between the Si substrate and Ge layers. To accomplish this type of bond, hydrophobic wafer bonding is used, because as the invention demonstrates the hydrogen-surface-terminating species that facilitate van der Waals bonding evolves at temperatures above 600~C into covalent bonding in hydrophobically bound Ge/Si layer transferred systems.
Les hétérostructures Ge/Si et autres couches sans silicium de l'invention sont formées par exfoliation induite par hydrogène de la couche Ge qui est contrecollée par la tranche à un substrat moins cher, tel que Si. Une couche mince monocristalline de Ge est transférée au substrat Si. La liaison au niveau de l'interface des hétérostructures Ge/Si est covalente afin d'assurer un bon contact thermique et une résistance mécanique, et de permettre la formation d'un contact ohmique entre le substrat Si et les couches Ge. Pour réaliser ce type de liaison, une métallisation hydrophobe de la tranche est utilisée parce que, comme le montre le procédé de l'invention, les espèces à terminaison hydrogène de la surface qui facilitent la liaison de Van der Waals évoluent, à des températures supérieures à 600 ·C, vers une liaison covalente dans des systèmes transférés à couche Ge/Si liée par métallisation hydrophobe. hydrogen-surface-terminating species
Atwater Harry A. Jr.
Zahler James M.
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
California Institute Of Technology
LandOfFree
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