H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/028 (2006.01) H01S 5/02 (2006.01) H01S 5/18 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2457537
The invention relates to a method to obtain contamination free surfaces of a material chosen from the group comprising GaAs, GaAlAs, InGaAs, InGaAsP and InGaAs at crystal mirror facets for GaAs based laser cavities. The crystal mirrors facets are cleaved out exposed to an ambient atmosphere containing a material from the group comprising air, dry air, or dry nitrogen ambients. Any oxides and other foreign contaminants obtained during the ambient atmosphere exposure of the mirror facets are removed by dry etching in vacuum. Thereafter, a native nitride layer (8) is grown on the mirror facets (7) by treating them with nitrogen.
L'invention concerne un procédé d'obtention de surfaces d'un matériau choisi dans le groupe constitué par GaAs, GaAlAs, InGaAs, InGaAsP et InGaAs, exemptes de contamination, qui constituent des facettes d'un cristal miroir pour cavités laser GaAs. Le procédé comporte les étapes consistant à découper les facettes du cristal miroir alors qu'elles sont exposées à une atmosphère ambiante contenant une matière du groupe constitué par l'air, l'air sec et l'azote à l'état gazeux ; à éliminer par gravure au plasma sous vide tout oxyde ou autre contaminant étranger provenant de l'exposition en atmosphère ambiante des facettes du miroir ; à former ensuite par croissance une couche (8) de nitrure native sur les facettes (7) du miroir à l'aide d'un traitement de celles-ci à l'azote.
Blixt N. Peter
Carlstroem Carl-Fredrik
Lindstroem L. Karsten V.
Soederholm Svante H.
Srinivasan Anand
Comlase Ab
Marks & Clerk
Northlight Ab
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1608923