B - Operations – Transporting – 01 – J
Patent
B - Operations, Transporting
01
J
B01J 3/06 (2006.01) H01L 21/322 (2006.01)
Patent
CA 2611184
A patterning process, including applying pressure to and removing pressure from one or more regions of a substance to transform a phase of one or more regions of the substance, the transformed one or more regions having respective predetermined shapes representing a predetermined pattern. The patterning process can be used to form nanoscale patterns in substances without requiring the use of photoresist or conventional optical or electron- beam lithography, thus avoiding the limitations of those techniques. For example, a semiconducting wafer with an amorphous or crystalline silicon surface layer can be patterned using a die or nano-indenter and subsequently used as elements in electronic, optical or mechanical devices.
L'invention concerne un procédé de formation de motifs consistant à exercer une pression sur une ou plusieurs régions d'une substance, ou à supprimer cette pression, afin de transformer une phase d'une ou plusieurs régions de la substance, la ou les régions transformées possédant respectivement des formes prédéterminées correspondant à un motif prédéterminé. Le procédé de formation de motifs peut servir à la formation de motifs à l'échelle nanométrique dans des substances sans qu'il soit nécessaire d'utiliser la lithographie photorésist ou la lithographie optique ou par faisceau électronique classique, les limites imposées par ces techniques étant ainsi supprimées. Une tranche semi-conductrice dotée d'une couche de surface en silicium amorphe ou cristallin, par exemple, peut faire l'objet d'une formation de motifs à l'aide d'une filière ou d'un nano-poinçon et, par conséquent, utilisée en tant qu'élément dans des dispositifs électroniques, optiques ou mécaniques.
Bradby Jodie Elizabeth
Maxwell Ian Andrew
Williams James Stanislaus
Smart & Biggar
Wriota Pty Ltd
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1924425