H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/01 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
Patent
CA 2350656
A resistor has a resistor body (11) of polycrystalline silicon and electric contact regions (23, 15) arranged on and/or in the resistor body (11), so that a resistor part (13) is formed between the contact regions, which gives the resistor its resistance. The material in the resistor body is doped with for example boron to define its resistance. To give the resistor a good long term stability the resistor part (13) is protected by one or more oxide based blocking layers (28, 31) produced from transition metals. These blocking layers can prevent movable kinds of atoms such as hydrogen from reaching the unsaturated bonds in the polysilicon. Such movable kinds of atoms can for example exist in passivation layers (27) located outermost in an integrated electronic circuit in which the resistor is included. The blocking layers can be produced from layers having 30 % titanium and 70 % tungsten, which are oxidized using hydrogen peroxide.
L'invention concerne une résistance dont le corps (11) est constitué de silicium polycristallin et dont les bornes (23, 15) sont disposées sur et/ou dans ledit corps (11), la partie résistante (13) étant ainsi comprise entre les bornes, ce qui donne au dispositif sa résistance. Le matériau constitutif du corps de résistance est dopé à l'aide, notamment, de bore pour définir sa résistance. Pour conférer à la résistance une bonne stabilité à long terme, la partie résistante (13) est protégée par une ou plusieurs couches (28, 31) de blocage à base d'oxydes produites à partir de métaux de transition. Ces couches de blocage permettent d'empêcher que des espèces d'atomes mobiles tels que l'hydrogène, n'atteignent les liaisons insaturées du silicium polycristallin. Ces espèces mobiles d'atomes peuvent se trouver dans les couches (27) de passivation situées sur la périphérie extérieure du circuit électronique intégré dans lequel la résistance est incluse. Les couches de blocage peuvent être produites à partir de couches constituées de 30 % de titane et de 70 % de tungstène, oxydées au peroxyde d'hydrogène.
Rydberg Matts
Smith Ulf
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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