A power up detection system for a memory device

G - Physics – 11 – C

Patent

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Details

G11C 7/20 (2006.01) G11C 8/18 (2006.01) G11C 17/14 (2006.01) G11C 19/00 (2006.01)

Patent

CA 2645774

A power up detection system for a memory device. Two rows of memory cells are mask programmed to include a word of data having an arbitrary size. The word in the second row is a single-bit shifted version of the word in the first row, such that each bit is shifted one bit position in a predetermined direction. The bits of the first word are read from the first row into slave latches of the register stages of a data register, and then shifted into the master latches of the next register stage of the data register. The bits of the second word are read from the second row into the slave latches of the register stages. Data comparison logic compares data stored in the master and slave latches of each register stage, and provides a signal indicating matching data between the first latches and the second latches, thereby indicating successful power up of the memory device.

L'invention concerne un système de détection de mise sous tension destiné à une mémoire. Deux rangées de cellules de mémoire sont programmées par masque afin de comprendre un mot de données possédant une taille arbitraire. Le mot de la seconde rangée est un version décalée à bit unique du mot de la première rangée, de sorte que chaque bit est décalé d'une position de bit dans une direction prédéfinie. Les bits du premier mot sont lus à partir de la première rangée dans les verrous esclaves des étages du registre d'un registre de données, puis décalés dans les verrous maîtres de l'étage de registre suivant. Les bits du second mot sont lus à partir de la seconde rangée dans les verrous esclaves des étages de registre. La logique de comparaison des données compare les données stockées dans les verrous maîtres et esclaves de chaque étage de registre, et fournit un signal indiquant les données correspondantes entre les premiers et les seconds verrous, indiquant ainsi la mise sous tension réussie de la mémoire.

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