H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/8222 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/318 (2006.01) H01L 21/331 (2006.01) H01L 21/761 (2006.01) H01L 21/762 (2006.01) H01L 21/763 (2006.01) H01L 21/8224 (2006.01) H01L 27/06 (2006.01) H01L 29/73 (2006.01) H01L 29/92 (2006.01)
Patent
CA 2295990
A bipolar transistor of type NPN has an active region at the surface of the component, which is surrounded, as seen along the surface of the component, in the conventional way by thick field oxide areas (18). The active region is partly covered by an electrically isolating surface layer, preferably comprising a nitride layer (34). A base region in the active region is defined by a well-defined opening, which is lithographically produced, in the electrically isolating surface layer. For a bipolar lateral transistor of type PNP, which instead has emitter and collector regions surrounded by such thick field oxide areas, the emitter and collector regions can in the corresponding way be defined by a lithographically defined opening in an electrically isolating surface layer. Owing to the well defined openings the base-collector capacitance and the emitter-collector capacitance respectively can be reduced in these cases, what results in better high frequency characteristics of the transistors. A region of the silicon nitride layer(34) is at the same time used as an efficient dieletric in a simultaneously manufactured capacitor. The NPN-transistor can be provided with a thin side string made of nitride for isolation between an emitter connection and a base connection. In the same semiconductor plate special, deep and shallow substrate connecting terminals can be provided for electrically isolating component areas. Trenches (22) can be used for electrical isolation of component areas and they can at their sidewalls have a laminate of at the bottom oxide (23) and thereon nitride (25) in order to facilitate planarizing etching and in order to act as a diffusion barrier.
L'invention concerne un transistor bipolaire du type NPN ayant une région active à la surface du composant, autour duquel on voit, le long de la surface, une configuration classique de zones à couche d'oxyde épais (18). La région active est partiellement recouverte d'une couche d'isolement en surface, comprenant de préférence une couche de nitrure (34). Une région tenant lieu de base dans la région active est matérialisée par une ouverture en forme de caisson, réalisée en procédé lithographique, dans la couche d'isolement en surface. S'agissant d'un transistor latéral bipolaire du type NPN sur lequel ce sont plutôt les régions émetteur et collecteur que l'on entoure de telles zones à couche d'oxyde épais, il est possible de définir lesdites régions d'une manière correspondante, en procédé lithographique, sous la forme d'ouvertures dans une couche d'isolement en surface. Dans les cas considérés, la présence d'ouvertures en forme de caisson permet de réduire la capacité de la jonction base-collecteur et celle de la jonction émetteur-collecteur, ce qui améliore les caractéristiques haute fréquence des transistors. Parallèlement, on utilise une région de la couche de nitrure de silicium (34) comme diélectrique efficace dans un condensateur fabriqué simulltanément. Il est possible d'ajouter au transistor du type NPN un fin cordon latéral d'isolement en nitrure entre une connexion de l'émetteur et une connexion de la base. Sur la même plaquette en semiconducteur, il est possible de réaliser des bornes de connexion au substrat, de type spécial, profond et étroit, de manière à assurer l'isolement des régions du composant. Pour isoler ces composants, on peut utiliser des tranchées (22), lesquelles peuvent avoir au niveau de leurs parois latérales un laminé dont le fond est un oxyde (23) et la partie supérieure un nitrure (25), de manière à faciliter l'attaque liée au procédé planar et pour constituer une barrière de diffusion.
Norstrom Hans
Nygren Stefan
Tylstedt Ola
Infineon Technologies Ag
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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