G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 7/24 (2006.01) G11C 17/14 (2006.01) G11C 17/18 (2006.01)
Patent
CA 2645788
A program lock circuit for inhibiting programming of memory cells. A memory array can have both mask programmable and one-time programmable memory cells connected to the wordlines and the bitlines. Since the one-time programmable memory cells are convertible into mask programmable memory cells through mask programming, such as diffusion mask programming or contact/via mask programming, these mask programmed cells are still electrically programmable, thereby destroying the originally stored data. The programming lock circuit inhibits programming of the mask programmed cells by detecting an activated wordline during a programming operation, and then immediately disabling or decoupling the high voltage supply that is provided to the wordline drivers. Mask programmed transistor elements coupled to each wordline detect the wordline voltage and disable the high voltage supply. A mask programmable master lock device can be provided to inhibit all the rows in the memory array from being programmed.
L'invention concerne un circuit de verrouillage de programme destiné à inhiber la programmation de cellules de mémoire. Un réseau de mémoires peut comporter à la fois des cellules de mémoires programmables une seule fois et programmables par masque reliés aux lignes de mots et aux lignes de bits. Étant donné que des cellules de mémoire programmables une seule fois pouvant être converties en cellules de mémoire programmables par masque par programmation par masque, une programmation par masque de diffusion ou par contact, ces cellules programmées par masque sont encore programmables électriquement, détruisant ainsi des données stockées à l'origine. Le circuit de verrouillage de programmation inhibe la programmation des cellules programmées par masque par détection d'une ligne de mots activée durant une opération de programmation, puis désactivation ou découplage immédiat de l'alimentation haute tension fournie aux lecteurs de lignes de mots. Les éléments de transistors programmés par masque couplés à chaque ligne de mots détecte la tension de la ligne de mots et désactive l'alimentation haute tension. Un dispositif de verrouillage maître programmable par masque peut être fourni afin d'inhiber la programmation de toutes les rangées dans le réseau de mémoires.
Borden Ladner Gervais Llp
Sidense Corp.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1558251