B - Operations – Transporting – 05 – D
Patent
B - Operations, Transporting
05
D
B05D 3/04 (2006.01)
Patent
CA 2759446
In an embodiment, a reactor includes a section, wherein at least a portion of the section includes a base layer, wherein the base layer has a first composition that contains a silicide- forming metal element; and a suicide coating layer, wherein the suicide coating layer is formed by a process of exposing, at a first temperature above 600 degrees Celsius and a sufficient low pressure, the base layer having a sufficient amount of the silicide-forming metal element to a sufficient amount of a silicon source gas having a sufficient amount of silicon element, wherein the silicon source gas is capable of decomposing to produce the sufficient amount of silicon element at a second temperature below 1000 degrees Celsius; reacting the sufficient amount of the silicide-forming metal element with the sufficient amount of silicon element, and forming the suicide coating layer.
Selon un mode de réalisation, l'invention porte sur un réacteur qui comprend une section, dans laquelle au moins une partie de la section comprend une couche de base, la couche de base ayant une première composition qui contient un élément métallique formant du siliciure; et une couche de revêtement de siliciure, la couche de revêtement de siliciure étant formée par un procédé d'exposition, à une première température supérieure à 600 degrés Celsius et sous une pression suffisamment faible, la couche de base ayant une quantité suffisante d'élément métallique formant du siliciure sur une quantité suffisante d'un gaz de source de siliciure ayant une quantité suffisante d'élément de silicium, le gaz de source de silicium étant apte à se décomposer pour produire la quantité suffisante d'élément de silicium à une seconde température inférieure à 1000 degrés Celsius ; la réaction de la quantité suffisante de l'élément métallique formant du siliciure avec la quantité suffisante d'élément de silicium et la formation de la couche de revêtement de siliciure.
Fieselmann Ben
Froehlich Robert
Mixon David
Tsuo York
Ae Polysilicon Corporation
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1612474