A read-only memory and read-only memory device

Details A read-only memory and read-only memory device A read-only memory and read-only memory device

G - Physics

11

C

G11C 11/56 (2006.01) G11C 17/10 (2006.01) H01L 27/102 (2006.01) H01L 27/112 (2006.01)

Patent

CA 2302015

A read-only memory is made electrically addressable over a passive conductor matrix, wherein the volume between intersection of two conductors (2; 4) in the matrix defines a memory cell (5). Data are stored as impedance values in the memory cells. The memory cells (5) comprise either an isolating material (6) which provides high impedance or one or more inorganic or organic semiconductors (9), preferably with an anisotropic conducting property. The semiconductor material (9) forms a diode junction at the interface to a metallic conductor (2; 4) in the matrix. By suitable arrangement of respectively the isolating material (6) and semiconductor material (9) in the memory cells these may be given a determined impedance value which may be read electrically and corresponds to logical values in a binary or multi-valued code. One or more head-only memories (ROM) may be provided on a semiconductor substrate (1) which also comprises driver and control circuits (13), to accomplish a read-only memory device. The device may be realized either planar or also volumetrically by stacking several read-only memories (ROM) in horizontal layers (15) and connecting them with the substrate (1) via addressing buses.

Une mémoire morte est rendue adressable électriquement sur une matrice de conducteurs passifs, le volume au niveau de l'intersection entre deux conducteurs (2, 4) de la matrice définissant une cellule de mémoire (5). Les données sont mémorisées sous forme de valeurs d'impédance dans les cellules de mémoire. Lesdites cellules de mémoire (5) comportent, soit un matériau isolant (6) qui donne l'impédance élevée ou un ou plusieurs semi-conducteurs inorganiques ou organiques (9), ayant de préférence des propriétés d'anisotropisme de conduction. Le matériau semi-conducteur (9) forme une jonction de diode au niveau de l'interface avec un conducteur métallique (2, 4) de la matrice. Grâce à une disposition appropriée du matériau isolant (6) et du matériau semi-conducteur dans les cellules de mémoire, il est possible de donner à ces derniers une valeur d'impédance prédéterminée qui peut être lue électriquement et qui correspond à des valeurs logiques dans un code binaire ou multivalué. Une ou plusieurs mémoires mortes (ROM) peuvent être prévues sur un substrat semi-conducteur (1) qui comprend également des circuits d'attaque et de commande (13), de sorte qu'un dispositif à mémoires mortes soit produit. Ledit dispositif peut être plan ou en volume, par l'empilement de plusieurs mémoires mortes (ROM) en couches horizontales (15) et par la connexion de celles-ci avec le substrat (1), au moyen de bus d'adressage.

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