H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/76 (2006.01) H01L 21/762 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)
Patent
CA 2385031
In the fabrication of an integrated circuit, particularly an integrated circuit for radio frequency applications, a method for forming shallow and deep trenches for isolation of semiconductor devices comprised in said circuit, comprising providing a semiconductor substrate (10); optionally forming a first dielectric layer (14) on said substrate; forming at least one shallow trench (18) by using a first mask (16), said shallow trench extending into said substrate; forming a second dielectric layer (20) of a predetermined thickness (2x) on the structure obtained subsequent to the step of forming at least one shallow trench; forming at least one opening (33) in said second dielectric layer by using a second mask (22) with an edge (30) of said second mask aligned to an edge (26) of said shallow trench with a maximum misalignment (+/- x) of half the predetermined thickness (2x), said opening extending with the shallow trench to the bottom (18a) thereof, whereby a spacer (32) of a width equal to the predetermined thickness (2x) is formed in said shallow trench and along said edge thereof; and forming a deep trench (34) in said opening by using said second dielectric layer as a hard mask, said deep trench extending further into said substrate and being self-aligned to said shallow trench.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré, notamment pour des applications de radiofréquence, qui permet de former des sillons peu profonds et des sillons profonds servant à isoler des dispositifs à semi-conducteurs intégrés audit circuit. Le procédé consiste à mettre en oeuvre un substrat à semi-conducteurs (10); à former éventuellement une première couche diélectrique (14) sur ledit substrat; à utiliser un premier masque (16) pour creuser au moins un sillon peu profond (18) s'étendant dans ledit substrat; à former une seconde couche diélectrique (20) d'une épaisseur préétablie (2x) sur la structure obtenue après l'étape de formation du sillon peu profond; à creuser au moins une ouverture (33) dans ladite seconde couche diélectrique au moyen d'un second masque (22) dont un bord (30) est aligné au bord (26) dudit sillon peu profond avec un désalignement maximal (+/- x) correspondant à la moitié de l'épaisseur préétablie (2x), ladite ouverture s'étendant avec le sillon peu profond jusqu'à la base de ce dernier, et un espaceur (32) dont la largeur est égale à ladite épaisseur préétablie (2x) étant formé dans le sillon peu profond et le long du bord de ce dernier. Le procédé consiste enfin à former un sillon profond (34) dans ladite ouverture en utilisant la seconde couche diélectrique comme masque dur, ledit sillon profond s'étendant en outre dans ledit substrat et étant autoaligné relativement au sillon peu profond.
Bjormander Carl
Johansson Ted
Norstrom Hans
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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