H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/00 (2006.01) H01L 23/525 (2006.01) H01L 29/00 (2006.01)
Patent
CA 2233317
A fusible link device (100) disposed on a semiconductor substrate (107) for providing discretionary electrical connections. The fusible link device of the invention includes a silicide layer (104) and a polysilicon layer (105), with the silicide layer formed on the polysilicon layer, and has a first unprogrammed resistance. The silicide layer agglomerates to form an electrical discontinuity in response to a predetermined programming potential being applied across the silicide layer, such that the resistance of the fusible link device can be selectively increased to a second programmed resistance.
L'invention concerne un dispositif de liaison fusible (100) disposé sur un substrat semi-conducteur (107) pour constituer des connexions électriques sélectives. Le dispositif de liaison fusible de l'invention comprend une couche de siliciure (104) et une couche de polysilicium (105), la couche de siliciure étant formée sur la couche de polysilicium, et il a une première résistance non programmée. La couche de siliciure aggloméré forme une discontinuité électrique en réponse à une différence de potentiel de programmation prédéterminée appliquée à la couche de siliciure, ce qui permet d'augmenter la résistance du dispositif de liaison fusible d'une manière sélective jusqu'à une seconde résistance programmée.
Alavi Mohsen
Bohr Mark T.
Intel Corporation
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1469288