H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/042 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
Patent
CA 2718012
Formation of a solar cell device from upgraded metallurgical grade silicon which has received at least one defect engineering process and including a low contact resistance electrical path. An anti- reflective coating is formed on an emitter layer and back contacts are formed on a back surface of the bulk silicon substrate. This photovoltaic device may be fired to form back surface field temperatures sufficiently low to avoid reversal of previous defect engineering processes. The process further forms openings in the anti-reflective coating and a low contact resistance metal layer, such as nickel layer, over the openings in the coat-ing. The process may anneal the low contact resistance metal layer to form n- doped portion and complete an electrically conduct path to the n-doped layer. This low temperature metallization (e.g., < 700°C) supports the use of UMG silicon for the solar device formation without risk of reversing earlier defect engineering processes.
La présente invention concerne la formation dun dispositif de piles solaires à partir de silicium de qualité métallurgique améliorée qui a reçu au moins un procédé de traitement des défauts et comprenant un trajet électrique à faible résistance de contact. Un revêtement antireflet est formé sur une couche émettrice et des contacts arrière sont formés sur une surface arrière du substrat en silicium massif. Ce dispositif photovoltaïque peut être cuit pour former des températures de champ électrique arrière suffisamment basses pour éviter linversion des procédés de traitement des défauts précédents. Le procédé forme en outre des ouvertures dans le revêtement antireflet et une couche métallique à faible résistance de contact, telle quune couche de nickel, sur les ouvertures formées dans le revêtement. Le procédé peut recuire la couche métallique à faible résistance de contact pour former une partie à dopage n et achever un trajet électriquement conducteur vers la couche à dopage n. Cette métallisation à basse température (par exemple, < 700 °C) accepte lutilisation du silicium de qualité métallurgique améliorée pour la formation du dispositif solaire sans risquer linversion des procédés de traitement des défauts précédents.
Blosse Alain
Heuer Matthias
Kaes Martin
Kirscht Fritz
Ounadjela Kamel
Calisolar Inc.
Ridout & Maybee Llp
LandOfFree
A solar cell and fabrication method using crystalline... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with A solar cell and fabrication method using crystalline..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and A solar cell and fabrication method using crystalline... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1446655