H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/3205 (2006.01) H01C 7/00 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
Patent
CA 2258506
A resistor has a resistor body (11) of polycrystalline silicon and electric terminals (23, 15) arranged on and/or in the resistor body (11). A resistor portion (13) is thus formed between the terminals, which gives the resistor its resistance. The material in the resistor body is doped with for example boron. In order to block unsaturated silicon bonds in grain boundaries to a sufficient extent and thereby give the resistor a good long-time stability, fluorine atoms are added to the material. They are added in such a high concentration that all of the otherwise unsaturated bonds are coupled to fluorine atoms. Further, it is provided in the manufacture of the resistor that the concentration is maintained at the originally high value. When ion implanting dopants and fluorine atoms it can be accomplished by performing an annealing after implanting dopants at a high temperature and then a further annealing operation at a low temperature after the subsequent implantation of fluorine.
Une résistance présente un corps (11) de résistance en silicium polycristallin ainsi que des bornes électriques (23, 15) agencées sur et/ou dans le corps (11) de la résistance. Une partie de résistance (13) est ainsi formée entre les bornes, ce qui donne à la résistance sa résistance. Le matériau du corps de la résistance est dopé avec, par exemple, du bore. Afin de bloquer les liaisons silicium insaturé dans des limites de grain dans une mesure suffisante et ainsi de donner une bonne stabilité à long terme à la résistance, on a ajouté à la matière des atomes de fluor. On a ajouté lesdits atomes en une concentration suffisamment élevée pour que toutes les liaisons insaturées autrement soient couplées aux atomes de fluor. De plus, on a prévu dans la fabrication de la résistance que la concentration soit maintenue à la valeur élevée d'origine. Lors de l'implantation ionique de dopants et d'atomes de fluor, on peut procéder à un recuit après implantation de dopants à haute température et ensuite à une autre opération de recuit à basse température après l'implantation ultérieure de fluor.
Rydberg Matts
Smith Ulf
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
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