G - Physics – 02 – B
Patent
G - Physics
02
B
G02B 6/12 (2006.01)
Patent
CA 2565194
A structure comprises an inner strip waveguide (1) and an outer rib waveguide (2) on a com~mon substrate. The thicker inner waveguide (1) is pat~terned into an inner core layer (3). The thinner outer waveguide (2) is patterned into an outer core layer (4). The inner and outer waveguides are separated by a gap (5) being less than 500 nm. The structure forms an adiabatic coupler. In the method, the first (inner) waveguide (1) is patterned into the thicker inner core layer (3) by etching trenches (8). A thinner outer silicon layer (4) is attached on top of the inner-core layer (3) and the first waveguide (1) to form an outer core layer (4). The second (outer) waveguide (2) is patterned into the outer core layer (4).
Une structure comprend un guide d'onde ruban interne (1) et un guide d'onde ruban externe (2) situés sur un substrat commun. Le guide d'onde interne (1) plus épais est façonné avec des motifs dans la couche noyau interne (3). Le guide d'onde (2) plus mince est façonné avec des motifs dans une couche noyau externe (4). Les guides d'onde interne et externe sont séparés par un espace (5) inférieur à 500 nm. La structure forme un coupleur adiabatique. Dans le procédé, le premier guide d'onde (interne) (1) est façonné avec des motifs dans la couche noyau interne plus épaisse (3) par gravure de tranchées (8). Une couche (4) de silicium externe plus mince est fixée sur le dessus de la couche noyau interne (3) et sur le premier guide d'onde (1) pour former une couche noyau externe (4). Le deuxième guide d'onde¿ ?(externe) (2) est façonné avec des motifs dans la couche noyau externe (4).
Ridout & Maybee Llp
Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus
LandOfFree
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