H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/485 (2006.01) H01L 21/48 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01) H01L 23/522 (2006.01) H01L 23/538 (2006.01) H01L 23/66 (2006.01) H01L 25/065 (2006.01) H05K 3/40 (2006.01) H05K 3/46 (2006.01)
Patent
CA 2275435
A via structure is obtained by etching a through-hole (3) in a substrate (1) on the via location and placing transmission lines (25) on declining or sloping sidewalls (8) of the hole (3). The lines (25) continue to conductors (17) on the other surface of the substrate (1) through vias (29) located in a free portion of a thin film structure at the bottom side of the substrate. The free portion is so strong and large, that several vias (29) can be made therein for connection to a plurality of parallel lines (25) forming e.g. a bus structure. The large free portion can be additionally supported by a thick support layer (33) applied on top of the layers in the hole (3). By applying an isolated ground plane (19) and a dielectric layer (23) between the substrate (1) and the transmission lines (25), the transmission lines on the sloping sidewalls (8) of the via hole structure can be made impedance matched. The sloping sidewalls (8) of the via hole can easily be obtained using a V- groove etch for a monocrystalline Si-substrate (1). The via structure obtained is especially well suited for data transmission buses, which do not need to reduce their transmission line density through the via structure.
On réalise une structure de trou d'interconnexion en pratiquant un trou (3) par attaque chimique à travers un substrat (1) sur l'emplacement du trou d'interconnexion et en plaçant des lignes de transmission (25) sur les parois latérales inclinées ou en pente du trou (3). Ces lignes (25) continuent vers des conducteurs (17) situés sur l'autre surface du substrat (1) par l'intermédiaire de trous d'interconnexion (29) situés dans une partie libre d'une structure de couche mince du côté inférieur du substrat. Cette partie libre est résistante et fortement dimensionnée, ce qui permet d'y pratiquer plusieurs trous d'interconnexion (29) afin d'effectuer une connexion avec une pluralité de lignes parallèles (25) constituant, par exemple, une structure de bus. La partie libre fortement dimensionnée peut être, de plus, supportée par une couche de support épaisse (33) appliquée au sommet des couches dans le trou (3). L'application d'un plan de masse isolé (19) et d'une couche diélectrique (23) entre le substrat (1) et les lignes de transmission (25) permet d'adapter en impédance les lignes de transmission sur les parois latérales inclinées (8) de la structure de trou d'interconnexion. On peut créer sans difficultés ces parois latérales inclinées (8) du trou d'interconnexion par attaque chimique d'un substrat (1) en Si monocristallin afin d'obtenir une rainure en V. La structure obtenue de trou d'interconnexion est particulièrement bien adaptée pour des bus de transmission de données dont la densité de ligne de transmission n'a pas besoin d'être diminuée à travers la structure de trou d'interconnexion.
Bodo Jan Peter
Hesselbom Hjalmar
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2074067