G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01) G11C 5/00 (2006.01) G11C 5/02 (2006.01) G11C 8/14 (2006.01) H01L 21/84 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01) H01L 27/01 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01)
Patent
CA 2480307
In a volumetric data storage apparatus comprising a plurality of stacked matrix-addressable memory devices (M) electrode means (E) are provided so as to form alternating word and bit line means (WL; BL) for the memory devices, whereby the number of the electrode means is only one more than the number of memory devices. Moreover adjoining electrode means (Ek, Ek+1) are arranged in such a manner as to furnish a high proportion of memory cells (6) which can be switched in two or more directions, thus yielding a much higher output when addressed and having an improved signal-to-noise ratio. Each memory device (M) can, due to having a dense electrode arrangement, be provided with an attainable memory cell fill factor approaching unity and half the memory cells can in case be provided switchable in two or more directions, such that the fill factor of these in any case shall approach 0.5. A volumetric data storage apparatus with a very high storage density can hence be obtained, while several of the problems encountered with prior art stacked memory devices are obviated.
L'invention concerne un dispositif de stockage de données volumétrique comportant une pluralité d'appareils mémoire empilés à adressage matriciel (M). Ledit dispositif comporte des éléments électrode (E) destinés à former des canaux mots et des canaux binaires (WL, BL) pour les appareils mémoire, le nombre d'éléments électrode étant supérieur de un par rapport au nombre d'appareils mémoire. Par ailleurs, des éléments électrodes supplémentaires (E¿k?, E¿k+1?) sont disposés de manière à alimenter une grande partie de cellules mémoire (6) pouvant être commutées dans au moins deux directions. Par conséquent, le rendement est bien meilleur lorsque les cellules mémoire sont adressées et le rapport signal sur bruit peut également être amélioré. Du fait de la disposition étroite d'électrodes, chaque appareil mémoire (M) peut être pourvu d'une unité d'approximation de facteur de remplissage de cellule mémoire accessible, et la moitié des cellules mémoire peut ainsi être commutée dans au moins deux directions de manière que le facteur de remplissage de ces cellules mémoire soit proche de 0,5. Le dispositif de stockage de données volumétrique selon l'invention présente une grande densité de stockage et permet d'éliminer de nombreux problèmes rencontrés avec les appareils mémoire empilés habituels.
Gudesen Hans Gude
Leistad Geirr I.
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Thin Film Electronics Asa
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1346296