H - Electricity – 04 – N
Patent
H - Electricity
04
N
H04N 3/15 (2006.01)
Patent
CA 2323486
A CMOS imager includes a photosensitive device such as a photodiode or photogate having a sense node coupled to an FET located adjacent to the photosensitive region. Another FET, forming a differential input pair of an operational amplifier is located outside of the array of pixels. The operational amplifier is configured for unity gain and a row or columm of input FETs is connected in parallel. A correlated double sampler is connected to the output of the operational amplifier for providing a fixed pattern noise free signal.
Un dispositif d'imagerie CMOS comprend un dispositif photosensible tel qu'une photodiode ou une grille photonique pourvue d'un noeud de détection, couplé à un transistor à effet de champ (TEC), placé adjacent à la région photosensible. Un autre TEC formant une paire d'entrées différentielles d'un amplificateur opérationnel est situé à l'extérieur de l'ensemble de pixels. L'amplificateur opérationnel est configuré pour un gain unitaire et une rangée ou une colonne de TEC d'entrée est montée en parallèle. Un dispositif de double échantillonnage corrélé est relié à la sortie de l'amplificateur opérationnel de façon à obtenir un signal clair de bruit stable.
Pace Matthew A.
Zarnowski Jeffrey J.
Kirby Eades Gale Baker
Photon Vision Systems Llc
LandOfFree
Active linear sensor does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Active linear sensor, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Active linear sensor will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-2006325