Active semiconductor backplane

G - Physics – 02 – F

Patent

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G02F 1/1362 (2006.01)

Patent

CA 2353842

An active semiconductor backplane is disclosed comprising an array of addressable active elements (52) on a semiconductor substrate (51) for selectively energising respective first electrodes (65) of the array, for example in a liquid crystal matrix cell. To reduce photo-induced degradation of images produced thereby (a) at least part of the region beneath a first electrode is adapted to act as a capacitor, for example a depletion layer (66) acting as a reverse biased diode, and/or (b) substantially the whole of each active element is covered by a metallic conductor (59, 60 - coupled to row and column conductors). In a variant of (b) the array of active elements may be covered by an insulating layer, and each active element is connected to a metal electrode on the insulating layer, the array of said metal electrodes thus formed covering more than 65 % of the area of said array.

L'invention concerne la face arrière d'un semi-conducteur actif comprenant un réseau d'éléments actifs adressables (52), situés sur un substrat semi-conducteur (51), permettant d'exciter leurs premières électrodes (65) respectives du réseau, tel que dans une cellule à matrice à cristaux liquides. Afin de réduire la dégradation des images produites, due à la lumière, (a) une partie au moins de la région située sous une première électrode est conçue de façon à jouer un rôle de condensateur, tel qu'une couche d'appauvrissement (66) servant de diode polarisée en inverse, et/ou (b) la quasi intégralité de chaque élément actif est recouverte par un conducteur métallique (59, 60), couplé aux conducteurs ligne et colonne. Dans une variante de (b), le réseau d'éléments actifs peut être recouvert par une couche isolante et chaque élément actif est relié à une électrode métallique sur la couche isolante, la surface du réseau d'électrodes métalliques ainsi formé étant couverte à plus de 65 %.

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Profile ID: LFCA-PAI-O-1382389

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