C - Chemistry – Metallurgy – 08 – L
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
08
L
C08L 83/04 (2006.01) B32B 27/00 (2006.01) C01B 33/12 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01) C08J 9/26 (2006.01) C08K 5/10 (2006.01) C08K 5/20 (2006.01) C08L 67/02 (2006.01) C08L 69/00 (2006.01) C08L 71/02 (2006.01) C09D 183/02 (2006.01) C09D 183/12 (2006.01) C09D 183/14 (2006.01) H01L 21/312 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/3205 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) H05K 1/00 (2006.01)
Patent
CA 2289782
Disclosed is an alkoxysilane/organic polymer composition for use in producing an insulating thin film, comprising (A) a specific alkoxysilane; (B) a specific organic polymer; and (C) a solvent for alkoxysilane (A) and organic polymer (B), wherein solvent (C) comprises at least one organic solvent selected from the group consisting of amide linkage-containing organic solvents and ester linkage-containing organic solvents. Also disclosed are a silica-organic polymer composite thin film which is produced by a process comprising: forming a thin film of the composition of the present invention; subjecting the thin film to a hydrolysis and dehydration-condensation reaction with respect to the alkoxysilane thereof, to thereby cause the alkoxysilane to be gelled in the thin film; and removing the solvent remaining in the thin film by drying, and a porous silica thin film which is obtained by removing the organic polymer from the silica-organis polymer composite thin film. Both of the silica-organic polymer composite thin film and the porous silica thin film have advantages not only in that these thin films have a low dielectric constant suitable for insulating layers for a multilevel interconnect for a semiconductor device, but also in that these thin films can be produced by a method which can be easily performed in the current process for producing a semiconductor device.
Cette invention concerne une composition alcoxysilane/polymère organique qui est destinée à la production de fines pellicules isolantes. Cette composition comprend les éléments suivants: (A) un alcoxysilane spécifique; (B) un polymère organique spécifique; et (C), un solvant qui est destiné à l'alcoxysilane (A) et au polymère organique (B), et qui comprend un solvant organique possédant un groupe amide et/ou un groupe ester. Cette invention concerne également une pellicule fine et isolante qui est faite d'un matériau composite silice/polymère organique. Ce matériau est obtenu en mettant la composition sous forme de pellicule fine, en soumettant l'alcoxysilane dans la pellicule fine à une hydrolyse et à une condensation par déshydratation de manière à ce que l'alcoxysilane se gélifie, puis en éliminant le solvant restant dans la pellicule. Cette invention concerne enfin une pellicule de silice fine et poreuse qui est obtenue à partir de la pellicule composite fine en éliminant le polymère organique de cette dernière. Ces deux pellicules possèdent une faible perméabilité et peuvent être utilisées en qualité de couche isolante dans la structure de câblage multicouches d'un élément à semi-conducteur. Ces pellicules peuvent en outre être produites selon un procédé facile à mettre en oeuvre lors des processus courants de fabrication d'éléments à semi-conducteur.
Ioka Takaaki
Tanabe Tsuneaki
Asahi Kasei Kabushiki Kaisha
Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha
Goudreau Gage Dubuc
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1983390