Aluminum nitride passivated phosphors for electroluminescent...

H - Electricity – 05 – B

Patent

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H05B 33/14 (2006.01) C09K 11/77 (2006.01) C09K 11/84 (2006.01) C09K 11/88 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01) H05B 33/22 (2006.01)

Patent

CA 2509417

A novel structure is provided to improve the luminance and operating stability of phosphors used in ac thick film dielectric electroluminescent displays. The novel structure comprises aluminum nitride barrier layers in contact with the phosphor films to prevent phosphor degradation due to reaction with oxygen. The barrier layers can be deposited using vacuum deposition processes that are compatible with the processes used to deposit and anneal the phosphor films. The invention is particularly applicable to phosphors used in electroluminescent displays that employ thick dielectric layers subject to high processing temperatures to form and activate the phosphor films.

L'invention pore sur une nouvelle structure permettant d'améliorer la luminance et la stabilité de fonctionnement des phosphores utilisés dans des afficheurs électroluminescents à diélectrique à film mince à courant alternatif. Cette nouvelle structure comprend des couches barrières de nitrure d'aluminium en contact avec les films de phosphore de façon à empêcher le phosphore de se dégrader sous l'effet de la réaction avec l'oxygène. Les couches barrières peuvent être déposées selon des processus de dépôt par évaporation sous vide qui sont compatibles avec des processus utilisés pour déposer et recuire les films de phosphore. Cette invention peut notamment s'appliquer à des phosphores utilisés dans des afficheurs électroluminescents qui utilisent des couches épaisses de diélectrique soumises à des températures de traitement élevées de façon é former et à activer les films de phosphore.

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